【案例简介】

安徽格恩半导体有限公司（以下简称格恩半导体）于2024年5月20日向安徽省知识产权保护中心（以下简称安徽保护中心）提交了两件发明专利预审案件：“一种具有光吸收损耗抑制层的激光器及其制备方法”、“一种具有应变调制上波导层的激光器及其生长方法”。预审员王雨晴、方鸿儒受理后，围绕申请所涉及的激光器波导层生长和激光器的吸收损耗原理的研发设计进行了深入研究，并指导修改申请文本及合理划定权利要求保护范围，对说明书和附图中可能影响案件审查的问题提出了具体优化建议，于2024年5月24日发出预审合格通知书。两件申请进入国知局快速审查通道后，分别于2024年11月19日、11月21日获得授权（ZL 2024 1 0658591.5、ZL 2024 1 0687448.9）。

该系列专利涉及半导体激光器技术领域，具体为一种具有应变调制上波导层的激光器及其生长方法、一种具有光吸收损耗抑制层的激光器及其单晶制备方法。该具有应变调制上波导层的激光器通过调控上波导层的峰值电子漂移速率分布、形变势分布、体积弹性模量分布以及极化光学声子能量分布形成应变调制上波导层，一方面抑制自发极化和压电极化效应，提高晶体质量，降低非辐射复合，同时抑制QCSE（量子限制斯塔克效应,Quantum Confinement Stark effects）效应，降低能带倾斜，提升电子空穴波函数的空间交叠几率和辐射复合效率。该具有光吸收损耗抑制层的激光器于上、下包覆层与上、下波导层之间建立两层光吸收损耗抑制层，可以提升光电转换效率，抑制激光器内部光学损耗，降低阈值电流，提升激光器的光电转换效率，延长激光器的使用寿命。

【典型意义】

安徽格恩半导体有限公司通过安徽保护中心预审通道获得“一种具有应变调制上波导层的激光器及其生长方法”和“一种具有光吸收损耗抑制层的激光器及其制备方法”两项专利快速授权。高端氮化镓基激光芯片是国家产业战略自主必争的前沿领域，是第三代半导体光电器件不可替代的基础材料，但长期被日本、德国垄断，国内相关产品依赖进口。格恩半导体公司基于该系列专利技术开发的新型半导体激光器结构能有效降低光波导杂质吸收损耗，充分提升载流子辐射复合效率，实现了光功率较常规结构提升26%（电流：3A）、老化寿命提升44%（温度：65℃，电流：3A）的效益。目前该系列专利激光器结构已成功应用于格恩半导体激光器产业化生产项目（产品涵盖蓝光、绿光、紫光、紫外波段激光器），总投资约20亿元，该项目的实施将加速半导体激光器领域相关的国产替代进程，推动地方及国家激光器应用行业的快速发展。

【企业简介】

安徽格恩半导体有限公司成立于2021年8月，位于六安市金安经济开发区，是一家专业研发生产氮化镓激光芯片的高新技术企业。公司聚焦于化合物半导体细分领域，专注于第三代化合物半导体氮化镓激光器以及高性能、高功率、高可靠性半导体光电芯片核心技术开发及产业化，是国内首家在第三代半导体氮化镓激光器领域同时拥有外延、芯片、封装、模组技术的IDM（全流程自主运营,Integrated Device Manufacture）规模化量产企业，产品覆盖绿光、蓝光、紫光等多个波段，在激光加工、激光医疗、激光显示、车载照明、通讯传感等领域有着广泛应用。公司现有员工500多人，主要团队由100多位来自海内外化合物半导体领域的领军人才组成，构建了以10余名博士为核心、80余名资深专业工程师为骨干的研发团队，核心成员均具备15年以上半导体产业化经验。公司现已获半导体激光器及高功率LED领域110件以上授权专利。

截至目前，安徽格恩半导体有限公司已向安徽保护中心提交了10件发明专利预审申请，其中6件已成功获得授权。

（典型案例报送：https://www.ahippc.cn/view/ccd20ffb47b84ff2a12276023ae55c50.html）