【案例简介】

合肥巨阙电子有限公司（以下简称巨阙电子公司）向安徽省知识产权保护中心（以下简称安徽保护中心）提交了发明专利预审案件“一种GaN半导体功率器件动态参数测试方法及系统”。预审员何鸣飞受理后，围绕申请所涉第三代半导体功率器件动态高温寿命测试系统展开检索分析，准确识别该测试系统架构、独立通道硬件保护、多通道并行采集算法是区别于现有技术的重要技术创新。此外，预审员还对说明书技术效果表述及附图中可能影响授权的问题，提出具体优化建议，指导申请文本完善，发出了预审合格通知书。巨阙电子公司向国家知识产权局提交正式申请进入快速审查通道后，成功获得授权（ZL 2025 1 1728752.4），授权周期仅为81天。

该专利涉及第三代宽禁带半导体功率器件可靠性测试技术领域，具体为一种GaN半导体功率器件动态参数测试方法及系统。当前GaN、SiC功率器件可靠性验证行业普遍存在工况模拟失真、测量精度不足、测试效率低下、设备成本高昂四大痛点，传统静态HTOL（高温工作寿命）老化测试无法复现实际高频开关工况，难以捕捉热载流子注入、动态导通电阻漂移等隐性失效，而进口DHTOL（动态高温工作寿命测试）设备价格昂贵、通道数量有限，制约国内第三代半导体产业研发迭代。该专利提供一种GaN半导体功率器件动态参数测试方法及系统，采用FPGA高速量测控制板+独立DUT测试单元架构，每一路待测器件配置独立控温模块、硬件保护回路，纳秒级同步采集Vgs、Vds、Ids信号，硬件微秒级故障隔离保护；构建复合应力矩阵，可复现高频dv/dt、di/dt瞬态冲击，支持硬/软开关模式，实现动态Rds（on）实时监测；能够多通道并行测试，兼容多种器件封装，测试数据自动存储、分析、报告输出；可完整模拟功率器件真实运行工况，精准捕捉器件早期参数漂移，解决传统测试“测不到、看不清、耗不起、伤不起”的行业难题。

图为基于本专利技术的测试系统

【典型意义】

合肥巨阙电子有限公司依托安徽省知识产权保护中心专利预审通道获得“一种GaN半导体功率器件动态参数测试方法及系统”发明专利快速授权。基于该核心专利技术，巨阙电子公司成功开发DHTOL功率器件动态参数测试系统，并凭借该产品在2026年第51届日内瓦国际发明展上成功摘得金奖、获罗马尼亚国家微技术研究与发展研究院颁发的“研究与创新卓越奖”，是展会中宽禁带半导体测试领域唯一的获奖技术。该专利技术产品支持40-2048通道并行测试，Rds（on）测量精度可达<1%±0.1mΩ，硬件故障隔离响应时间小于1μs，将批次验证周期压缩至21天，测试效率提升80倍。设备的每个器件工位独立控温，控温精度≤±3℃，可实现RT175℃结温条件，精准复现车载、算力电源等真实动态工况，识别静态测试无法发现的器件隐性失效问题。目前该设备已实现商业化批量交付，面向国内GaN/SiC芯片企业、科研院所和车规半导体实验室的器件研发、失效分析、进厂检验和车规可靠性认证，打破了国外对高端DHTOL测试设备的长期垄断，助力我国宽禁带半导体产业链的自主可控。

【企业简介】

合肥巨阙电子有限公司聚焦高端电子可靠性检测装备研发制造，深耕第三代宽禁带半导体、新型显示、汽车电子可靠性测试赛道，提供从元器件到整机全链条检测解决方案。公司研发技术人员占比超40%，核心团队拥有十五年功率半导体测试领域技术积累，与合肥工业大学、安徽大学共建联合实验室。公司获得国家级高新技术企业、安徽省专精特新企业、科技型中小企业、安徽省创新型中小企业、安徽省大数据企业、合肥市人工智能产业企业等资质或荣誉。

截至目前，合肥巨阙电子有限公司通过安徽保护中心专利预审快速审查通道累计提交了4件发明专利申请，全部获得授权。