【案例简介】

合肥晶合集成电路股份有限公司（以下简称晶合集成公司）向安徽省知识产权保护中心（以下简称安徽保护中心）提交了发明专利预审案件“薄膜及其制备方法”。预审员李肖受理后，深入研究该申请所涉及的晶圆薄膜制备技术，并对比现有技术，认为该申请有效克服了当前半导体制程中沉积薄膜时产生凸点缺陷的问题，经形式审查后，发出了预审合格通知书。晶合集成公司向国家知识产权局提交正式申请进入快速审查通道后，成功获得授权（ZL 2025 1 03098550），授权周期仅为102天。

该专利涉及半导体技术。现有半导体工艺常采用等离子体增强化学气相沉积工艺（PECVD）在晶圆上沉积掩膜层，在沉积完成转清洗阶段，沉积腔体内体积不变，在射频源立即关闭并且第一反应物停止通入，而第二反应物通入量不变的情况下，沉积腔体内压强会突然降低，此时会导致沉积腔体内的环境温度产生瞬间的变化，瞬间的环境温度变化会导致沉积腔体内残留的第一反应物不完全反应生成副产物掉落在晶圆上形成凸点缺陷，严重影响了晶圆的良率。本专利通过调节机台内不同时间段反应气体的通入量减少副产物的产生，在停止供给第一反应源后，增加第二反应源通入量，维持腔体内反应源总物质的量不变，稳定腔体环境，让残留第一反应源充分反应生成同材质第二薄膜，后续采用第二反应源清洗晶圆，消除不完全反应副产物带来的凸点缺陷，提高晶圆良率。

图为本专利薄膜工艺制得的晶圆

【典型意义】

合肥晶合集成电路股份有限公司依托安徽省知识产权保护中心专利预审通道获得“薄膜及其制备方法”发明专利快速授权。该专利从源头改善PECVD制程缺陷，显著降低凸点缺陷发生率。在晶圆制造全流程中，凸点缺陷会引发检测误检漏检、图形畸变、薄膜与刻蚀工艺一致性变差等问题，并持续干扰镀膜、光刻、键合等后续工序，诱发次生缺陷，造成良率波动。采用该专利方案，能够规避上述连锁工艺不良，有效优化晶圆整体制造品质，稳定晶圆批量生产良率，大幅提升晶圆成品的可靠性与生产制程稳定性，目前，该专利技术已应用于晶合集成公司CMOS图像传感器（CIS）和显示驱动芯片（DDIC）等产品的生产制造。

【企业简介】

合肥晶合集成电路股份有限公司成立于2015年，由合肥市建设投资控股（集团）有限公司与力晶创新投资控股股份有限公司合资建设，是安徽省首家12英寸晶圆生产企业。晶合集成公司专注于半导体晶圆生产代工服务，提供150-28纳米不同制程工艺，已实现显示驱动芯片（DDIC）、CMOS图像传感器（CIS）、微控制器（MCU）、电源管理（PMIC）、逻辑应用（Logic）等平台各类产品量产，产品应用涵盖消费电子、智能手机、智能家电、安防、工控、车用电子等领域。晶合集成公司于2023年5月在上海证券交易所科创板挂牌上市，成为安徽省首家成功登陆资本市场的纯晶圆代工企业，于2026年7月登陆香港联合交易所。

截至目前，合肥晶合集成电路股份有限公司通过安徽保护中心专利预审快速审查通道累计提交了37件发明专利申请，已授权10件。