【案例简介】

合肥芯胜半导体有限公司（以下简称芯胜半导体公司）于2025年1月3日、2月10日向安徽省知识产权保护中心（以下简称安徽保护中心）提交了两件发明专利预审案件“一种分子束外延装取样装置和方法”、“一种分子束外延生长控制方法及源炉装置”。预审员夏洁受理后，对申请文件的技术方案及文件形式进行了全面审查。在深入理解技术细节与发明创新点的基础上，预审员重点对申请文件的形式规范提出了优化建议，以确保专利文件质量及其技术内容的清晰、准确表达，增强说明书的规范性和可读性，并于2025年1月10日、2月11日先后发出预审合格通知书。两件申请进入国家知识产权局快速审查通道后，分别于2025年3月25日、4月28日获得授权（ZL 2025 1 0044726.3、ZL 2025 1 0152224.2），授权周期为72和74天。

该系列专利涉及分子束外延技术领域，具体为一种分子束外延装取样装置和方法、一种分子束外延生长控制方法及源炉装置。该装取样装置通过装样托盘在进样室内进行装取晶片，在交接室内将晶片从吸附有杂质的装样托盘上交接转移至干净的生长托盘上，有效保证在生长室内承载晶片的衬底托盘的洁净程度，避免了现有技术中托盘进行晶片取样时长时间暴露于空气中容易吸附杂质、影响后续晶片生长效果的问题。该源炉装置设计有生长源炉和补偿源炉，通过精确调节补偿源炉温度来补偿生长源炉实际生长速率或束流与目标生长速率或束流之间的差值，能够在无需提高源炉温度控制精度的情况下，即可更加精确可控地调节生长速率或束流。

【典型意义】

合肥芯胜半导体有限公司通过预审通道获得“一种分子束外延装取样装置和方法”、“一种分子束外延生长控制方法及源炉装置”两项专利快速授权。源炉是半导体制造工艺分子束外延（(MBE，Molecular Beam Epitaxy）装置的“心脏”，其产生的分子束的纯度和稳定性直接决定了外延材料的本征质量。芯胜半导体公司自主研发的新型源炉装置专利，在坩埚材料、热场设计、束流调制阀等方面实现了多项创新，能够大幅提升高端外延片的一致性、均匀性和成品率，为规模产业化应用奠定基础。源炉装置的智能控制方法实时调整生长参数，能够满足复杂氧化物、氮化物、二维材料等新型材料极为苛刻的生长要求，为探索和制备下一代半导体材料提供了有力的工具。此外，精确的分子束控制能力使得科研人员有能力设计和制备更复杂的能带结构异质结，有望加速我国在拓扑绝缘体、自旋电子学等基础科学领域的原创性突破。该系列专利颠覆了传统半导体分子束外延工艺，打破了国外领先企业对我国在相关产品上的垄断供应和设计技术封锁，保障了我国半导体研发和生产的战略自主能力，为我国在下一轮全球科技竞争中占据主动地位注入强劲动力。

【企业简介】

合肥芯胜半导体有限公司成立于2023年1月，位于安徽巢湖经济开发区半汤湖生态科创城。公司集成了高端化合物外延片设计-外延-封测一体化制造平台，涉及化合物半导体外延片及量子信息技术，是国内唯一、国际唯二拥有并掌握分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相沉积（MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition）技术的微波射频、光电子高端外延片集成制造平台的企业。公司研发团队成员来自于中科院顶级科学家团队和相关上市公司，拥有几十年的技术积累和产业化工作经验。公司已建有5000平方米半导体超净无尘生产车间，拥有世界先进的半导体设备及配套设施，固定资产投资超亿元。公司已通过ISO9001质量管理体系认证，具有多项专利、商标等自主知识产权并参与行业标准的制定，是安徽省科技厅认定的安徽省2025年第1批入库的科技型中小企业。截至目前，合肥芯胜半导体有限公司已向安徽省知识产权保护中心提交了4件发明专利预审申请，2件已成功获得授权。

（典型案例报送：https://www.ahippc.cn/view/ccd20ffb47b84ff2a12276023ae55c50.html）